目前，商品化的二次鋰離子電池主要以石墨類碳作為負極材料，其優(yōu)點是循環(huán)性能和倍率性能較好。然而，傳統(tǒng)石墨負極的理論比容量僅為372mAh/g，而且其嵌鋰電位平臺接近金屬鋰，快速充電或低溫充電易發(fā)生“析鋰”現(xiàn)象引發(fā)安全隱患。在便攜式電子設備和電動汽車迅猛發(fā)展的當下，石墨類負極材料已經(jīng)難以滿足鋰離子二次電池發(fā)展的迫切需要。

硅材料作為一種有望替代商業(yè)化石墨的最具潛力的鋰離子電池負極材料，具有高的理論容量(4200mAh/g)和適宜的電壓平臺，在新一代二次鋰離子電池負極材料領域的應用備受矚目[1]。

但是硅負極材料在使用過程中由于一直面臨各種問題，限制了其商業(yè)化應用。在過去的十幾年中，大量的研究表明，對硅材料進行納米化，表面包覆或制成多孔狀及分級結(jié)構(gòu)等等[2-7]，能有效地改善硅負極的導電性和緩沖其體積變化并保持界面SEI膜的穩(wěn)定，從而提高硅負極的循環(huán)和倍率性能。這些方法為設計高性能硅負極指明了方向，即設計具有納米尺寸和多孔結(jié)構(gòu)，并進行表面改性的復合Si負極材料，是實現(xiàn)高容量硅負極實際應用的必經(jīng)之路。

多孔硅概述

多孔硅是一種特殊結(jié)構(gòu)的納米材料，它具有納米尺寸厚度的孔壁以及納米尺寸的空曠孔道。近年來，多孔硅由于其生物相容性、良好的發(fā)光特性、優(yōu)異的光熱轉(zhuǎn)換性能以及巨大的能量密度，在生命科學以及能量儲存與轉(zhuǎn)化（如鋰離子電池、太陽能電池）等領域得到了廣泛的關注和深入的研究[8-10]。

在鋰電池領域，由于多孔硅大的比表面積、極薄的孔壁以及足夠大的孔道空間能夠有效抑制電極短路以及縮短鋰離子的傳輸路徑，從而提升電池的功率密度和延長電池的使用壽命，因而特別受到青睞[11-12]。

因為擁有多孔結(jié)構(gòu)以及小尺度的粒徑，多孔硅具有著很多塊體材料沒有的特征。作為鋰離子電池負極材料的多孔硅，主要有這些優(yōu)點：

(1)多孔硅中空的孔洞為硅的膨脹和收縮提供了緩沖空間，減輕由體積膨脹收縮造成的應力，并降低電極材料的“呼吸效應”；

(2)多孔硅因為擁有大的比表面積，所以電解液和硅將會有更多的接觸位點；

(3)多孔硅中的孔隙使得材料的相對尺寸減小了，因此鋰離子擴散的距離減小了；

(4)多孔結(jié)構(gòu)網(wǎng)絡給電荷和離子運輸提供了通道，加快了運送速度；

(5)硅顆粒擁有小的特征尺寸，使硅抵抗體積變化造成的機械應力的能力得到提高，促進硅深度嵌鋰，增加了大電流條件下的可逆容量。

現(xiàn)在，已經(jīng)有很多種多孔硅制備方法被報道，但是不同的制備條件和制備方法對多孔硅的形貌結(jié)構(gòu)以及性能都會產(chǎn)生很大的影響[13]。

多孔硅的制備方法

1. 刻蝕法

多孔硅一般通過干法或濕法刻蝕獲得。干法刻蝕又稱反應性離子蝕刻法，是當今微電子加工中常用的物理技術。濕法刻蝕是在堿性溶液或酸性溶液中，通過添加氧化劑、HF、貴金屬等來實現(xiàn)對單晶硅片的化學腐蝕，所得多孔硅的孔道形狀和大小可以通過改變電流、硅片摻雜類型和摻雜量、硅片的晶體生長取向、電解液濃度、電解池構(gòu)型、硅片表面預處理、反應時間等來控制，從而獲得大孔(>50nm)、介孔(2～50nm)或微孔(<2nm)的多孔硅[14-16]。

韓國蔚山科學技術院Bang等[17]開發(fā)了一種簡單的方法，通過電流置換反應和金屬輔助化學蝕刻工藝，從市售的塊體硅粉中合成出三維大孔硅顆粒。通過控制蝕刻條件能夠調(diào)控所得硅顆粒的形貌。該合成工藝是制備高性能硅負極材料的一種簡單、經(jīng)濟的方法。

總體而言，刻蝕法制備多孔硅的操作較復雜、重復性差、環(huán)境不友好，并且不能有效調(diào)控孔道大小，這些缺點極大限制了刻蝕法合成多孔硅的大規(guī)模應用[18]。

2 .去合金法

除了電化學、化學刻蝕外，從硅合金中通過洗脫金屬也是一種有效制備多孔硅的方法。主要原理是利用合金中的金屬作為“造孔劑”，通過一定濃度的酸將金屬洗脫，原位留下相應尺寸的孔。韓國漢陽大學Sohn等[19]采用兩步化學刻蝕法從硅合金中制備得到了多孔硅。作者首先將硅合金置于酸性介質(zhì)中，通過酸刻蝕，在脫合金硅顆粒中形成了大量的孔隙。隨后通過堿化處理減小了硅的尺寸，又使得硅孔隙增大而沒有破壞內(nèi)部硅的微結(jié)構(gòu)。所得到的多孔硅作為鋰電池負極展示了優(yōu)異的電化學性能。

從硅合金中通過洗脫金屬制備多孔硅具有工藝簡單、易于規(guī)模化合成的優(yōu)點。但是該工藝所得多孔硅的比表面積、孔道尺寸等跟合金類型、合金尺寸、硅含量等密切相關。因此，從不同廠家的硅合金中所得多孔硅在結(jié)構(gòu)、性能上有一定的差異[18]。

3 .金屬還原法

通常在一定溫度下利用金屬(如鎂、鈉、鋁等)還原特定形貌的SiO2，酸洗除去生成的副產(chǎn)物MgO得到具有多孔結(jié)構(gòu)的硅納米材料。通過控制還原反應的參數(shù)條件，產(chǎn)物可以保持和SiO2前驅(qū)體一致的形貌[20-26]。

金屬還原法相較于工業(yè)化的碳熱還原而言，大大降低了反應溫度。其中較為經(jīng)典的一種方法如美國佐治亞理工學院Bao等[27]利用鎂蒸氣的還原作用，把多孔的硅藻土還原成單質(zhì)硅，溶解副產(chǎn)物MgO后，得到了同時具有介孔和微孔結(jié)構(gòu)的單質(zhì)硅復制品。還有一種方法是利用SiO的歧化反應，首先得到Si和SiO2，再通過刻蝕生成的SiO2得到多孔Si材料[28]。

金屬還原法的主要缺點是反應條件不容易控制，易導致過度還原生成硅化物，或SiO2未被充分還原，因此重復性比較差，但該方法在合成具有特定形貌的多孔Si上具有獨到之處[29]。據(jù)了解，目前采用低成本的二氧化硅源通過鎂熱還原工藝制備鋰離子電池用納米多孔硅負極材料的應用越來越廣泛，所報道的各種廉價的二氧化硅源材料也在急劇增加[30]。

多孔硅的改性

盡管相對于塊體硅而言，多孔硅擁有的豐富孔道能夠在一定程度上提升鋰離子的傳輸速率，但限于硅的半導體特性，導電性差仍然是限制硅負極鋰電池性能提升的關鍵因素之一。因此，對多孔硅進行合適的后處理顯得非常有必要。常規(guī)的后處理方法主要是對多孔硅進行碳包覆處理，通過碳包覆或摻雜可以大大增強多孔硅的導電性，從而提升其倍率性能[31-34]。

除了碳包覆處理外，還可以結(jié)合導電高分子尤其是彈性導電高分子進行后修飾，彈性導電高分子不光可以提升硅的導電性能，而且可以將多孔硅的體積膨脹限定在一個彈性空間，有效釋放了體積變化所帶來的巨大應力[35-37]。

需要注意的是，利用多孔硅作為負極材料同時還存在著其它缺點，即由于多孔硅的比表面積較大，首圈充放電不可逆副反應增多，易形成不穩(wěn)定的SEI膜，從而導致首圈庫倫效率很低[38]。解決此問題通常利用預鋰化或者摻雜的方法實現(xiàn)[39]。